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Blindaje de tungsteno Manta

Tradicionalmente, el plomo ha sido el producto de elección para la protección contra la radiación. Blindaje de tungsteno Manta tiene la capacidad de campo de ajuste, que prevé atenuación de la radiación por un total de 5 a 10 personas-Rem / a?os que las contempladas en el peso equivalente de cubierta de plomo tradicional. Y puesto aleación de tungsteno es más delgado y pesa tanto como un 50 por ciento menos que el plomo, puede ser más indulgente cuando los trabajadores están realizando las actividades físicas requeridas en una central nuclear.

Con la misma densidad, manta de tungsteno tiene el mismo grosor que las mantas de plomo. Y altamente flexible y puede ser moldeado o formado en cualquier forma. Es a menudo un precio competitivo para liderar alternativas. Será ingeniería y fabricación especializada perfiles, placas y la cinta, incluyendo aplicaciones con llave "alta" Rad.

Aquí, el método descrito anteriormente tiene un efecto de impedir la reacción directa de Ti y WF.sub.6 cuando una capa de adhesión es una capa de laminado de películas de Ti / TiN y una manta blindaje de tungsteno se forma sobre la capa de adhesión. Una reacción directa de Ti y WF.sub.6 formará un sustrato sólido que exhibirán una expansión de volumen y convertido en una causa de pelado-off de una capa.

Cuando una capa de adhesión para la formación de una manta de tungsteno de blindaje se forma mediante pulverización catódica, el sustrato con frecuencia se fija en un montaje utilizando un soporte o ganchos. En porciones menores de estos ganchos, una película de SiO2, que es una capa de aislamiento entre capas es expuesto ya que casi ninguna película se forma debajo de los ganchos por bombardeo iónico. Cuando una manta de tungsteno blindaje crece en el SiO2 expuesto, la manta de tungsteno blindaje se despeguen fácilmente debido a la adherencia débil anti partículas se producen.

Descripción de tungsteno Manta

Normalmente, como un enchufe para la conexión de las capas de cableado de cableado de múltiples capas, de tungsteno, que es un metal refractario se ha empleado. Sin embargo, de aleación de tungsteno tiene una adhesión débil con SiO2. Por lo tanto, para la formación de la manta de tungsteno en una inter-capa de película formada de SiO2 aislante, capa de adherencia de película laminada de titanio se forma primero y luego manta de tungsteno está formada sobre el mismo.

La deposición de tungsteno Manta

aparato de tungsteno manta deposición comprende un reactor en el interior de los cuales es evacuable, significa una entrada de gas para introducir un gas de reacción en el reactor, de montaje medios para montar un sustrato de objeto a tratar, medios que impide la penetración para impedir la penetración de gas, dispuesto para cubrir la porción periférica de una superficie del sustrato objeto a tratar y que tiene un diámetro interior menor que un diámetro del sustrato objeto y un perímetro exterior más grande que la del sustrato objeto, y otra entrada de gas medios para introducir un gas a una espacio en la periferia del sustrato objeto cubierto por los medios de prevención de la penetración. El crecimiento de tungsteno manta en una porción periférica del sustrato SiO2 se previene y se evita, por tanto, la producción de partículas por el descascarillado-off de la manta de tungsteno.

Para evitar un crecimiento de la manta de tungsteno sobre la película de SiO2 expuesto, la película de SiO2 expuesto alrededor del sustrato se cubre con un anillo para impedir que el gas de reacción llegue a la película expuesta de SiO2.
En el método de la técnica anterior de la formación de manta de tungsteno ha descrito anteriormente, cuando se permite que un gas de SiH4 o SiH.sub.2 Cl2 a fluir en una superficie de un sustrato para la formación de que hay una película delgada de silicio , no se suministra en la parte cubierta por un anillo para impedir la penetración de gas de reacción. Por lo tanto, una capa de SiO2 se expone sobre una periferia del substrato.
En la siguiente proceso de formación de película WSi proporcionando un flujo de gas WF.sub.6, WF.sub.6 puede penetrar en una porción donde la película de SiO2 se expone sobre una periferia del substrato. En este caso, la manta de tungsteno crece directamente sobre la película de SiO2, y resulta en una producción de partículas.

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